20世纪90年代，随着大规模集成电路和大功率器件发展，对其连接件和布线的要求越来越苛刻，而材料的选择和研究一度成为热点。钨铜材料因其热膨胀系数（CTE）和导热、导电性能可以通过调整材料的成分而加以设计，可以与微电子器件中不同半导体材料进行很好地匹配连接，从而避免热应力所引起的热疲劳破坏，因此成为电子封装和计算机中央处理系统、大规模集成电路的引线框架，固态微波管的热沉基片，连接件和微电子壳体用材等方面的升级换代产品，具有广阔的应用前景.

       但是，钨铜作为假合金，其难以变形的特点使其应用受到很大限制，特别是气密性电子封装材料不仅要求接近完全致密的材料密度（相对密度大于98%），还要求材料尺寸超薄（厚度小于１ｍｍ），而且面积越大越好；超大功率半导体器件的散热材料则要求更高的导热系数、低的热膨胀系数等，并且要求诸多特性反映在同一材料之内,这就使得传统的粉末冶金熔渗烧结难以满足要求。为此，很多学者研究钨铜板材的制备技术和性能，本文对此进行了总结.

钨铜板材的性能及要求

       W-CU合金是由W和CU两相单体均匀混合而组成的一种假合金，既有钨的高熔点、密度、硬度和高温强度、低的热膨胀系数、良好的抗电蚀性，又有铜的导热、导电性和良好的塑性（两种金属的物理性能参数如表１所示)而且，这些性能特点可以通过改变钨和铜的组成比例来进行控制和调整，得到不同力学和物理性能的钨铜合金。

        钨铜板材合金一般含铜量不超过30%（质量分数），厚度小于1MM，材料密度大于其理论密度的98%，热膨胀系数小于７×１０－６／Ｋ（20℃），还要求具有很高的导热性能、很低的含气量和高的气密性，避免由于所存在的残余孔隙而造成漏气及导热性的较大降低；所用W粉和CU粉具有尽可能高的纯度，并在制取过程中避免杂质的混入，以免降低W-CU合金的导热性,表2列出了电子封装用钨铜合金的物理力学性能。

钨铜板材的制备要求

        为了获得钨铜板材的上述性能，国内外很多学者对此进行了研究，主要集中在：一方面是高导、高强、高韧钨铜合金的制备；另一方面是如何对合金进行变形加工获得板材。